MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 19 A, Mejora, DirectFET de 7 pines

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Código RS:
215-2580
Referência do fabricante:
IRF6785MTRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

19A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

DirectFET

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

100mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

57W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

36nC

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El Infineon HEXFET Power MOSFET tiene una tensión de fuente de drenaje máxima 200V en un encapsulado DirectFET MZ con un valor nominal de 19 amperios optimizado con baja resistencia de conexión. Este MOSFET de audio digital está diseñado específicamente para aplicaciones de amplificador de audio de clase D. Este MOSFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia de conexión por área de silicio. Además, la carga de puerta, la recuperación inversa de diodo de cuerpo y la resistencia de puerta interna están optimizadas para mejorar factores clave de rendimiento de amplificador de audio de clase D como la eficiencia, THD y EMI. El dispositivo IRF6785MPbF utiliza la tecnología de encapsulado DirectFETTM. La tecnología de encapsulado DirectFETTM ofrece menor inductancia parásita y resistencia en comparación con el encapsulado SOIC de conexión de cable convencional.

Última tecnología MOSFET Silicon

Parámetros clave optimizados para aplicaciones de amplificador de audio de clase D.

Compatible con refrigeración de doble cara

Sin plomo (calificación de reflujo de hasta 260 °C)

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