MOSFET, N-Canal Infineon IRF7769L1TRPBF, VDSS 100 V, ID 124 A, Mejora, DirectFET

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Código RS:
257-9318
Referência do fabricante:
IRF7769L1TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

124A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

HEXFET

Encapsulado

DirectFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.50mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

+175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de drenaje-fuente máxima de 100 V, corriente de drenaje continua máxima de 124 A - IRF7769L1TRPBF


Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N de orificio pasante diseñado para conmutación de alta corriente en sistemas eléctricos exigentes. Funciona en un amplio rango de temperaturas adecuado para condiciones industriales y cumple las restricciones ambientales de RoHS. El componente se suministra en un encapsulado DirectFET diseñado para aplicaciones que requieren una gestión térmica eficiente y una integración de placa compacta.

Características y ventajas:


• La RDS(on) de 3,50 mΩ reduce las pérdidas por conducción para una mayor eficiencia
• El VDS de 100 V permite el funcionamiento en topologías de media tensión
• La corriente de drenaje continua de 124 A admite un suministro de alta potencia
• La tensión directa VF de 1,3 V ayuda a un control preciso de puerta a fuente
• El rango de temperatura de –55 a +175 °C garantiza una tolerancia térmica ampliada

Aplicaciones


• Apto para sistemas de alimentación y control de motores
• Se utiliza con bastidores de distribución de potencia dc de alta corriente
• Ideal para etapas de convertidores e inversores industriales
• Puede utilizarse para la gestión de baterías y la regulación de carga

¿Qué tipo de encapsulado se utiliza para la manipulación térmica?


Utiliza un encapsulado DirectFET para facilitar una baja resistencia térmica y una transferencia de calor eficiente.

¿Qué método de montaje requiere?


El dispositivo está diseñado para montaje en orificio pasante para proporcionar una conexión mecánica y térmica robusta.

¿Es adecuado el dispositivo para las cualificaciones de automoción?


No está especificado como pieza estándar de automoción y, por tanto, debe evaluarse en función de los requisitos específicos del vehículo.

¿Qué polaridad y modo de canal se implementan?


La pieza es un dispositivo de canal N que funciona en modo de mejora, adecuado para interruptores de lado alto o lado bajo comunes.

¿Cumple el componente las directivas ambientales?


Cumple la directiva RoHS, lo que indica la restricción de determinadas sustancias peligrosas.

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