MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 81 A, Mejora, DirectFET de 2 pines

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Código RS:
222-4738
Referência do fabricante:
IRF6636TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

81A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

HEXFET

Encapsulado

DirectFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

2

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18nC

Tensión directa Vf

1V

Disipación de potencia máxima Pd

42W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Anchura

3.95 mm

Longitud

4.85mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.68mm

Estándar de automoción

No

El diseño Infineon de la tecnología HEXFET® Power MOSFET Silicon con el encapsulado Direct FETTM Advanced para lograr la resistencia de estado en funcionamiento más baja en un encapsulado que tiene el tamaño de UN perfil SO-8 y solo 0,7 mm. El encapsulado DirectFET es compatible con geometrías de diseño existentes utilizadas en aplicaciones de alimentación, equipos de montaje de PCB y técnicas de fase de vapor, infrarrojos o soldadura por convección, cuando se sigue la nota DE aplicación AN-1035 con respecto a los métodos y procesos de fabricación.

100 % RG probado bajo nivel de conducción y pérdidas de conmutación

Inductancia de encapsulado ultra baja ideal para convertidores dc-dc de núcleo de CPU

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