MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 81 A, Mejora, DirectFET de 2 pines
- Código RS:
- 222-4738
- Referência do fabricante:
- IRF6636TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 222-4738
- Referência do fabricante:
- IRF6636TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 81A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | DirectFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 2 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 42W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 18nC | |
| Anchura | 3.95mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.68mm | |
| Longitud | 4.85mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 81A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado DirectFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 2 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 42W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 18nC | ||
Anchura 3.95mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.68mm | ||
Longitud 4.85mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El diseño Infineon de la tecnología HEXFET® Power MOSFET Silicon con el encapsulado Direct FETTM Advanced para lograr la resistencia de estado en funcionamiento más baja en un encapsulado que tiene el tamaño de UN perfil SO-8 y solo 0,7 mm. El encapsulado DirectFET es compatible con geometrías de diseño existentes utilizadas en aplicaciones de alimentación, equipos de montaje de PCB y técnicas de fase de vapor, infrarrojos o soldadura por convección, cuando se sigue la nota DE aplicación AN-1035 con respecto a los métodos y procesos de fabricación.
100 % RG probado bajo nivel de conducción y pérdidas de conmutación
Inductancia de encapsulado ultra baja ideal para convertidores dc-dc de núcleo de CPU
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