MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 162 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- Código RS:
- 210-5015
- Referência do fabricante:
- SiSS52DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
945,00 €
Adicione 3000 unidades para obter entrega gratuita
Últimas unidades em stock
- Última(s) 12.000 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,315 € | 945,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 210-5015
- Referência do fabricante:
- SiSS52DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 162A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212 | |
| Serie | SiSS52DN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.95mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 57W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 43.2nC | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 3.4 mm | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Altura | 0.83mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 162A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PowerPAK 1212 | ||
Serie SiSS52DN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.95mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 57W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 43.2nC | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 3.4 mm | ||
Longitud 3.4mm | ||
Altura 0.83mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Vishay de canal N de 30 V (D-S) tiene un tipo de encapsulado POWERPAK 1212-8S.
MOSFET de alimentación TrenchFET Gen V.
Figura de mérito (FOM) RDS x QG muy baja
Permite una mayor densidad de potencia con RDS(on) y térmica muy bajas encapsulado compacto mejorado
100 % RG y prueba UIS
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiSS52DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 162 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS52DN-T1-UE3, VDSS 30 V, ID 162 A, Mejora, 1212-8S de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 250 V, ID 12.3 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 150 V, ID 16.2 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 92.5 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 30 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 80 V, ID 63 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 80 V, ID 54.7 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines