MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 80 V, ID 63 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

2 058,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 3000 unidade(s) para enviar a partir do dia 15 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
3000 +0,686 €2 058,00 €

*preço indicativo

Código RS:
210-5013
Referência do fabricante:
SiSS32ADN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

63A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

PowerPAK 1212

Serie

SiSS32ADN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

24nC

Disipación de potencia máxima Pd

65.7W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.83mm

Longitud

3.4mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET Vishay de canal N de 80 V (D-S) tiene un tipo de encapsulado POWERPAK 1212-8S con corriente de drenaje de 63 A.

MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV

Figura de mérito (FOM) RDS - Qg muy baja

Ajustado para ofrecer la FOM RDS - Qoss más baja

100 % RG y prueba UIS

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.