MOSFET, N-Canal Vishay SISS52DN-T1-BE3, VDSS 30 V, ID 162 A, Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines

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Código RS:
736-353
Referência do fabricante:
SISS52DN-T1-BE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

162A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

SISS52DN

Encapsulado

PowerPAK 1212-8S

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00095Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16V

Disipación de potencia máxima Pd

57W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

38nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

3.3mm

Longitud

3.3mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
IL
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para aplicaciones de conmutación robustas, lo que ofrece una excelente eficiencia y fiabilidad en soluciones de gestión de potencia.

Probado para un 100 % de R g y UIS, lo que garantiza una fiabilidad superior

La clasificación de conformidad de los materiales mejora la seguridad ambiental

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