MOSFET, N-Canal Vishay SiSS52DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 162 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- Código RS:
- 210-5016
- Referência do fabricante:
- SiSS52DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 210-5016
- Referência do fabricante:
- SiSS52DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 162A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212 | |
| Serie | SiSS52DN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.95mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 57W | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 43.2nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 3.4mm | |
| Altura | 830μm | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 162A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PowerPAK 1212 | ||
Serie SiSS52DN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.95mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 57W | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 43.2nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 3.4mm | ||
Altura 830μm | ||
Longitud 3.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Vishay de canal N de 30 V (D-S) tiene un tipo de encapsulado POWERPAK 1212-8S.
MOSFET de alimentación TrenchFET Gen V.
Figura de mérito (FOM) RDS x QG muy baja
Permite una mayor densidad de potencia con RDS(on) y térmica muy bajas encapsulado compacto mejorado
100 % RG y prueba UIS
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