MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiS178LDN-T1-GE3, VDSS 70 V, ID 45.3 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
228-2923
Referência do fabricante:
SiS178LDN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

45.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

70V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

PowerPAK 1212

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

39W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18.7nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El TrenchFET de canal N Vishay es un MOSFET de 70 V.

100 % Rg y UIS probados

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