MOSFET, N-Canal Vishay SIS468DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 30 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Sem stock actualmente
Lamentamos, mas não temos previsão para a reposição deste artigo
Código RS:
165-7076
Referência do fabricante:
SIS468DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

ThunderFET

Encapsulado

PowerPAK 1212

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

32mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20V, +20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18.1nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

52W

Tensión directa Vf

780mV

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.12mm

Longitud

3.4mm

Anchura

3.4mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, tensión media/ThunderFET®, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.