MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal IRFBE30LPBF, VDSS 800 V, ID 4.1 A, TO-262 de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-8316
- Referência do fabricante:
- IRFBE30LPBF
- Fabricante:
- Vishay
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*preço indicativo
- Código RS:
- 180-8316
- Referência do fabricante:
- IRFBE30LPBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-262 | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3Ω | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 78nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-262 | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3Ω | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 78nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de potencia de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 800 V, corriente de drenaje continua máxima de 4,1 A - IRFBE30LPBF
Este MOSFET de potencia es un transistor de conmutación de canal N de alta tensión diseñado para tareas de conversión de potencia y control en entornos industriales. Funciona en un amplio rango térmico y es adecuado para circuitos que requieren un manejo robusto de alta tensión y una capacidad de corriente continua moderada en un encapsulado de alimentación de orificio pasante.
Características y ventajas:
• La potencia nominal de drenaje-fuente de 800 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión • La corriente de drenaje continua de 4,1 A admite corrientes de carga sostenidas • La resistencia de conexión de 3 Ω reduce las pérdidas de conducción en circuitos de baja tensión • La disipación de potencia de 125 W permite manejar una potencia significativa en espacios reducidos • La carga de puerta típica de 78 nC permite un presupuesto de energía de conmutación predecible • El límite de fuente de puerta de 20 V protege la selección de accionamiento de puerta y el diseño de circuito
Aplicaciones
• Apto para fuentes de alimentación industriales y convertidores dc-dc • Ideal para frontales de accionamiento de motor de alta tensión con corriente moderada • Se utiliza para circuitos de amortiguación o abrazadera en sistemas de alta tensión • Puede utilizarse para elementos de conmutación en electrónica de control de soldadura o plasma
¿Qué rango de temperatura puede soportar durante su funcionamiento?
Está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, lo que permite su uso en condiciones térmicas hostiles.
¿Qué encapsulado debe tenerse en cuenta para el diseño y el montaje de la placa de circuito impreso?
El encapsulado TO-262 requiere montaje en orificio pasante y áreas de cobre más grandes para disipar el calor.
¿Cómo afecta la carga de puerta a la selección de controladores?
Una carga de puerta típica de 78 nC en la tensión de accionamiento de puerta determina la corriente de accionamiento necesaria y las pérdidas de conmutación durante las transiciones.
¿Hay limitaciones en la aplicación de tensión de puerta?
La tensión de fuente de puerta máxima admisible es de 20 V, por lo que los controladores de puerta y las redes de protección deben evitar el exceso.
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