MOSFET de potencia Vishay, N-Canal IRFBE30LPBF, VDSS 800 V, ID 4.1 A, TO-262 de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-8316
- Referência do fabricante:
- IRFBE30LPBF
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (50 unidades, em tubo de 50)*
80,40 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 21 de junho de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,608 € | 80,40 € |
| 100 - 200 | 1,511 € | 75,55 € |
| 250 - 450 | 1,367 € | 68,35 € |
| 500 - 1200 | 1,286 € | 64,30 € |
| 1250 + | 1,206 € | 60,30 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 180-8316
- Referência do fabricante:
- IRFBE30LPBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-262 | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3Ω | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 78nC | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-262 | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3Ω | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 78nC | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de potencia de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 800 V, corriente de drenaje continua máxima de 4,1 A - IRFBE30LPBF
Este MOSFET de potencia es un transistor de canal N diseñado para tareas de conmutación de alta tensión y conversión de potencia en electrónica industrial. Alojado en un encapsulado TO-262, sirve como transistor de potencia de un elemento capaz de manejar tensiones de fuente-drenador elevadas y disipación de potencia sostenida en un amplio rango térmico, lo que lo convierte en adecuado para condiciones de funcionamiento exigentes donde se requiere una resistencia a tensiones robusta.
Características y ventajas:
• Capacidad de drenaje de 800 V que permite la conmutación de alta tensión
• Disipación de potencia de 125 W que permite una carga térmica sostenida
• Corriente de drenaje continua de 4,1 A para aplicaciones de carga moderada
• Rds de 3 Ω que proporciona características de resistencia de encendido predecibles
• Carga de puerta de 78 nC para transiciones de conmutación controladas
• Máxima protección de la integridad de la puerta de 20 V Vgs
• Disipación de potencia de 125 W que permite una carga térmica sostenida
• Corriente de drenaje continua de 4,1 A para aplicaciones de carga moderada
• Rds de 3 Ω que proporciona características de resistencia de encendido predecibles
• Carga de puerta de 78 nC para transiciones de conmutación controladas
• Máxima protección de la integridad de la puerta de 20 V Vgs
Aplicaciones
• Apto para fuentes de alimentación industriales de alta tensión
• Ideal para etapas de conversión de potencia en modo conmutado
• Se utiliza con circuitos de accionamiento de motor que requieren Vds altos
• Puede utilizarse para protección contra sobrecargas y circuitos amortiguadores
• Útil en la gestión de potencia donde un rango de temperatura elevado importa
• Ideal para etapas de conversión de potencia en modo conmutado
• Se utiliza con circuitos de accionamiento de motor que requieren Vds altos
• Puede utilizarse para protección contra sobrecargas y circuitos amortiguadores
• Útil en la gestión de potencia donde un rango de temperatura elevado importa
¿Qué temperaturas extremas puede soportar durante el funcionamiento?
Funciona en un amplio rango térmico de –55 a 150 °C, adecuado para entornos con variación de temperatura significativa.
¿Cómo se mantiene la protección de la puerta durante el uso?
La tensión máxima admisible de puerta a fuente es de 20 V, lo que define el umbral para amplitudes de accionamiento de puerta seguras para evitar daños.
¿Qué encapsulado debe tenerse en cuenta para las necesidades térmicas y de montaje?
El encapsulado TO-262 proporciona un formato de montaje robusto con tres pines y admite disipación de calor compatible con la potencia nominal de 125 W del dispositivo.
¿Cuántos elementos activos contiene el chip?
El dispositivo consta de un único elemento activo por chip, lo que simplifica la topología del circuito para configuraciones de transistor único.
Links relacionados
- MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal IRFBE30LPBF, VDSS 800 V, ID 4.1 A, TO-262 de 3 pines, 1, config. Simple
- MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal IRF830ALPBF, VDSS 500 V, ID 5 A, TO-262 de 3 pines, 1, config. Simple
- MOSFET Infineon IPI90N04S402AKSA1, VDSS 40 V, ID 90 A, I2PAK (TO-262) de 3 pines, config. Simple
- MOSFET Infineon IPI65R190C6XKSA1, VDSS 700 V, ID 20 A, I2PAK (TO-262) de 3 pines, config. Simple
- MOSFET Infineon IPI80N04S404AKSA1, VDSS 40 V, ID 80 A, I2PAK (TO-262) de 3 pines, config. Simple
- MOSFET Infineon IPI80N04S403AKSA1, VDSS 40 V, ID 80 A, I2PAK (TO-262) de 3 pines, , config. Simple
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IRF1404LPBF, VDSS 40 V, ID 162 A, I2PAK (TO-262), Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- MOSFET de potencia onsemi, Tipo P-Canal NTHD4102PT1G, VDSS 20 V, ID 4.1 A, ChipFET, Mejora de 8 pines, 2, config.