MOSFET de potencia onsemi, Tipo P-Canal NTHD4102PT1G, VDSS 20 V, ID 4.1 A, ChipFET, Mejora de 8 pines, 2, config.
- Código RS:
- 780-0589
- Referência do fabricante:
- NTHD4102PT1G
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Adicione mais 100 para poupar 13%
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 fita de 25 unidades)*
23,25 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
- Envio a partir do dia 08 de abril de 2027
Unidad(es) | Por unidade | Por Fita* | Poupança |
|---|---|---|---|
| 25 - 75 | 0,93 € | 23,25 € | - |
| 100 - 225 | 0,802 € | 20,05 € | 13% |
| 250 + | 0,694 € | 17,35 € | 25% |
*preço indicativo
- Código RS:
- 780-0589
- Referência do fabricante:
- NTHD4102PT1G
- Fabricante:
- onsemi
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | ChipFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 170mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.1W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -8V, +8V | |
| Tensión directa Vf | -0.8V | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.1mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Anchura | 1.7mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado ChipFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 170mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.1W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -8V, +8V | ||
Tensión directa Vf -0.8V | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.1mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Anchura 1.7mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal P doble, ON Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET de potencia onsemi, Tipo P-Canal NTHD4102PT1G, VDSS 20 V, ID 4.1 A, ChipFET, Mejora de 8 pines, 2, config.
- MOSFET de potencia onsemi, Tipo P-Canal, VDSS 20 V, ID 2.6 A, MicroFET Delgado, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET de potencia onsemi, Tipo N, Tipo P-Canal SI4532DY, VDSS 30 V, ID 3.9 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config.
- MOSFET de potencia onsemi, Tipo P, Tipo N-Canal NTJD1155LT1G, VDSS 8 V, ID 1.3 A, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config.
- MOSFET de potencia onsemi, Tipo P, Tipo N-Canal ECH8661-TL-H, VDSS 30 V, ID 7 A, ECH, Mejora de 8 pines, 2, config.
- MOSFET de potencia onsemi, Tipo P, Tipo N-Canal NDC7001C, VDSS 60 V, ID 510 mA, SOT-23, Mejora de 6 pines, 2, config.
- MOSFET de potencia DiodesZetex, N-Canal DMN6070SSD-13, VDSS 60 V, ID 4.1 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo P, Tipo P-Canal FQPF5P20, VDSS 200 V, ID 3.4 A, TO-220F, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple