MOSFET Infineon IPI80N04S403AKSA1, VDSS 40 V, ID 80 A, I2PAK (TO-262) de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 857-6754
- Referência do fabricante:
- IPI80N04S403AKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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|---|---|---|
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- Código RS:
- 857-6754
- Referência do fabricante:
- IPI80N04S403AKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 80 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 40 V | |
| Tipo de Encapsulado | I2PAK (TO-262) | |
| Serie | OptiMOS T2 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 3,7 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 94 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Ancho | 4.4mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 51 nC a 10 V | |
| Material del transistor | Si | |
| Longitud | 10mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Altura | 9.25mm | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 80 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 40 V | ||
Tipo de Encapsulado I2PAK (TO-262) | ||
Serie OptiMOS T2 | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 3,7 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 4V | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 2V | ||
Disipación de Potencia Máxima 94 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Ancho 4.4mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 51 nC a 10 V | ||
Material del transistor Si | ||
Longitud 10mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Altura 9.25mm | ||
Estado RoHS: Não aplicável
MOSFET de potencia OptiMOS™ T2 de Infineon
La nueva gama OptiMOS ™ T2 de Infineon ofrece una gran variedad de transistores MOSFET de bajo consumo con reducción de CO2 y arrancadores eléctricos. La nueva gama de productos OptiMOS™ T2 amplía las gamas existentes OptiMOS™ -T y OptiMOS™.
Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.
Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.
Canal N - Modo de mejora
Calificación AEC
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Producto ecológico (compatible con RoHS)
Calificación AEC
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Producto ecológico (compatible con RoHS)
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
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