MOSFET de potencia Vishay, N-Canal IRFBE30LPBF, VDSS 800 V, ID 4.1 A, TO-262 de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-8664
- Referência do fabricante:
- IRFBE30LPBF
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-8664
- Referência do fabricante:
- IRFBE30LPBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-262 | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3Ω | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 78nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-262 | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3Ω | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 78nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de potencia de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 800 V, corriente de drenaje continua máxima de 4,1 A - IRFBE30LPBF
Este MOSFET de potencia es un transistor de canal N diseñado para tareas de conmutación de alta tensión y conversión de potencia en electrónica industrial. Alojado en un encapsulado TO-262, sirve como transistor de potencia de un elemento capaz de manejar tensiones de fuente-drenador elevadas y disipación de potencia sostenida en un amplio rango térmico, lo que lo convierte en adecuado para condiciones de funcionamiento exigentes donde se requiere una resistencia a tensiones robusta.
Características y ventajas:
• Capacidad de drenaje de 800 V que permite la conmutación de alta tensión
• Disipación de potencia de 125 W que permite una carga térmica sostenida
• Corriente de drenaje continua de 4,1 A para aplicaciones de carga moderada
• Rds de 3 Ω que proporciona características de resistencia de encendido predecibles
• Carga de puerta de 78 nC para transiciones de conmutación controladas
• Máxima protección de la integridad de la puerta de 20 V Vgs
• Disipación de potencia de 125 W que permite una carga térmica sostenida
• Corriente de drenaje continua de 4,1 A para aplicaciones de carga moderada
• Rds de 3 Ω que proporciona características de resistencia de encendido predecibles
• Carga de puerta de 78 nC para transiciones de conmutación controladas
• Máxima protección de la integridad de la puerta de 20 V Vgs
Aplicaciones
• Apto para fuentes de alimentación industriales de alta tensión
• Ideal para etapas de conversión de potencia en modo conmutado
• Se utiliza con circuitos de accionamiento de motor que requieren Vds altos
• Puede utilizarse para protección contra sobrecargas y circuitos amortiguadores
• Útil en la gestión de potencia donde un rango de temperatura elevado importa
• Ideal para etapas de conversión de potencia en modo conmutado
• Se utiliza con circuitos de accionamiento de motor que requieren Vds altos
• Puede utilizarse para protección contra sobrecargas y circuitos amortiguadores
• Útil en la gestión de potencia donde un rango de temperatura elevado importa
¿Qué temperaturas extremas puede soportar durante el funcionamiento?
Funciona en un amplio rango térmico de –55 a 150 °C, adecuado para entornos con variación de temperatura significativa.
¿Cómo se mantiene la protección de la puerta durante el uso?
La tensión máxima admisible de puerta a fuente es de 20 V, lo que define el umbral para amplitudes de accionamiento de puerta seguras para evitar daños.
¿Qué encapsulado debe tenerse en cuenta para las necesidades térmicas y de montaje?
El encapsulado TO-262 proporciona un formato de montaje robusto con tres pines y admite disipación de calor compatible con la potencia nominal de 125 W del dispositivo.
¿Cuántos elementos activos contiene el chip?
El dispositivo consta de un único elemento activo por chip, lo que simplifica la topología del circuito para configuraciones de transistor único.
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