MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal IRF830ALPBF, VDSS 500 V, ID 5 A de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-8307
- Referência do fabricante:
- IRF830ALPBF
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-8307
- Referência do fabricante:
- IRF830ALPBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4Ω | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 74W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 24nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Longitud | 9.65mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Altura | 4.83mm | |
| Anchura | 10.67 mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4Ω | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 74W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 24nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Longitud 9.65mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Altura 4.83mm | ||
Anchura 10.67 mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET de Vishay es un encapsulado de canal N, el TO-263-3 es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 500 V y una tensión de fuente de puerta máxima de 30 V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 1,4 mohm a una tensión de fuente de puerta de 10 V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 74 W. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conmutación y conducción. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una vida útil larga y productiva sin comprometer el rendimiento o la funcionalidad.
Características y ventajas
• Capacitancia y tensión de avalancha y corriente completamente caracterizadas
• Sin halógenos
• Puerta mejorada, avalancha y dV/dt dinámico
• Componente sin plomo (Pb)
• La carga Qg de puerta baja resulta en un requisito de accionamiento sencillo
• Rangos de temperatura de funcionamiento entre -55 °C y 150 °C
• MOSFET de potencia TrenchFET
Aplicaciones
• Conmutación de alimentación de alta velocidad
• Fuente de alimentación de modo conmutado (SMPS)
• Fuentes de alimentación ininterrumpida
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