Referência do fabricante

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI3421DV-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 8 A, Mejora, TSOP de 6 pines

Código RS:: 180-7895
Referência do fabricante:: SI3421DV-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI3421DV-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 8 A, Mejora, TSOP de 6 pines

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Código RS:: 180-7895
Referência do fabricante:: SI3421DV-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Serie	TrenchFET
	Encapsulado	TSOP
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	19.2mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Tensión directa Vf	-1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	21nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	2.7W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	3.1mm
	Altura	1.1mm
	Anchura	2.98 mm
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Serie TrenchFET
	Encapsulado TSOP
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 19.2mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Tensión directa Vf -1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 21nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 2.7W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 3.1mm
	Altura 1.1mm
	Anchura 2.98 mm
	Estándar de automoción No

Datasheet

COO (País de Origem):: CN

MOSFET Vishay

El MOSFET de canal P de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 30V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 19,2mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 4,2W mW y una corriente de drenaje continua de 8A A. La tensión de accionamiento mínima y máxima para este transistor es de 4,5V V y 10V V respectivamente. El MOSFET se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas

• Libre de halógenos

• Sin plomo (Pb)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

• MOSFET de potencia TrenchFET

Aplicaciones

• Interruptor adaptador

• Convertidor CC/CC

• Para informática móvil/consumidor

• Interruptores de carga

Certificaciones

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg probado

• UIS probado