MOSFET, Tipo P-Canal Vishay Si3129DV-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 5.4 A, Mejora, TSOP de 6 pines
- Código RS:
- 228-2817
- Referência do fabricante:
- Si3129DV-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 228-2817
- Referência do fabricante:
- Si3129DV-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | TSOP | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 82.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 4.2W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado TSOP | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 82.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 4.2W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de canal P Vishay TrenchFET se utiliza para gestión de potencia de interruptores de carga de consumo y portátiles y convertidores dc/dc.
100 % Rg y UIS probados
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