MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI3477DV-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 8 A, Mejora, TSOP de 6 pines

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Código RS:
812-3160
Referência do fabricante:
SI3477DV-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

12V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

TSOP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

33mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10 V

Disipación de potencia máxima Pd

4.2W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

58nC

Tensión directa Vf

-0.8V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.1mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1mm

Anchura

1.7 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de canal P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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