MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 500 V, ID 19 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines

Código RS:: 169-5791
Referência do fabricante:: SIHG20N50E-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 500 V, ID 19 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines

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Código RS:: 169-5791
Referência do fabricante:: SIHG20N50E-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld	19A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	500V
	Serie	E
	Encapsulado	TO-247AC
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	184mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	179W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	30V
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	46nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	20.82mm
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Anchura	5.31mm
	Longitud	15.87mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld 19A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V
	Serie E
	Encapsulado TO-247AC
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 184mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 179W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 46nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 20.82mm
	Certificaciones y estándares RoHS
	Anchura 5.31mm
	Longitud 15.87mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origem):: CN

MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 500 V, corriente de drenaje continua máxima de 19 A - SIHG20N50E-GE3

Este MOSFET de potencia es un transistor de canal N de alta tensión diseñado para conmutación y conversión de potencia en sistemas industriales y eléctricos. Funciona en modo de mejora y se suministra en un encapsulado TO-247 de orificio pasante, lo que lo convierte en adecuado para montajes que requieren un montaje robusto y una gestión térmica sencilla. El dispositivo admite alta tensión de drenaje-fuente y está diseñado para aplicaciones que requieren capacidades elevadas de manejo de potencia y accionamiento de puerta.

Características y ventajas:

• Vds máximo de 500 V que permite capacidad de conmutación de alta tensión
• Corriente de drenaje continua de 19 A para una manipulación de carga sustancial
• Rds(on) de 184 mΩ para reducir las pérdidas por conducción
• carga de puerta típica de 46 nC que permite requisitos de accionamiento predecibles
• Disipación de potencia máxima de 179 W para una gestión de alta tensión térmica
• Tensión de fuente de puerta máxima de 30 V para una amplia compatibilidad de accionamiento de puerta

Aplicaciones

• Apto para convertidores dc-dc de alta tensión en sistemas de alimentación
• Ideal para etapas de conmutación de accionamiento de motor industrial
• Se utiliza con fuentes de alimentación para equipos de telecomunicaciones e infraestructura
• Se puede utilizar para topologías de conmutación dura en inversores
• Apto para diseños de alimentación de orificio pasante de laboratorio y prototipos

¿En qué intervalo de temperatura puede funcionar con fiabilidad?

El dispositivo está clasificado para una temperatura ambiente mínima de -55 °C y una temperatura máxima de funcionamiento de 150 °C, lo que permite adaptarse a una amplia gama de condiciones ambientales.

¿Cómo admite el encapsulado el montaje y la extracción de calor?

El encapsulado de orificio pasante TO-247 proporciona una gran área de pestaña para disipación térmica y montaje seguro en PCB o chasis para facilitar la gestión térmica en aplicaciones de alta disipación.

¿Qué límites de accionamiento de puerta deben observarse durante el diseño?

La tensión de fuente de puerta no debe superar 30 V para evitar la tensión de óxido de puerta, y los diseñadores deben dimensionar el controlador para manejar la carga de puerta típica de 46 nC para una conmutación controlada.

¿Hay consideraciones para las pérdidas de conmutación con este dispositivo?

Los diseñadores deben tener en cuenta tanto la pérdida de conducción de 184 mΩ en estado activado como las pérdidas dinámicas relacionadas con la carga de puerta de 46 nC al calcular la energía de conmutación total.