MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHG20N50E-GE3, VDSS 500 V, ID 19 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- Código RS:
- 169-5791
- Referência do fabricante:
- SIHG20N50E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 19A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | TO-247AC | |
| Serie | E | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 184mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 46nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 179W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -30, +30V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 5.31mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 15.87mm | |
| Altura | 20.82mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 19A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado TO-247AC | ||
Serie E | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 184mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 46nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 179W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -30, +30V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 5.31mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 15.87mm | ||
Altura 20.82mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 500 V, corriente de drenaje continua de 19 A - SIHG20N50E-GE3
Este MOSFET de potencia es un dispositivo de mejora de canal N de alta tensión diseñado para aplicaciones de conversión de potencia y conmutación. Ofrece una capacidad de conmutación robusta adecuada para montaje en orificio pasante en montajes convencionales y funciona en un amplio rango de temperatura ambiente para entornos electrónicos exigentes.
Características y ventajas:
• La capacidad de drenaje de 500 V admite etapas de potencia de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 19 A permite una manipulación de carga sustancial
• La disipación de potencia de 179 W permite un funcionamiento de alta potencia
• La RDS(on) máxima de 184 mΩ minimiza las pérdidas por conducción
• La carga de puerta típica de 46 nC reduce la energía de control de conmutación
• El valor nominal máximo de puerta de 30 V permite tensiones de accionamiento de puerta estándar
• La corriente de drenaje continua de 19 A permite una manipulación de carga sustancial
• La disipación de potencia de 179 W permite un funcionamiento de alta potencia
• La RDS(on) máxima de 184 mΩ minimiza las pérdidas por conducción
• La carga de puerta típica de 46 nC reduce la energía de control de conmutación
• El valor nominal máximo de puerta de 30 V permite tensiones de accionamiento de puerta estándar
Aplicaciones
• Adecuado para MOSFET de electrónica de potencia para fuentes de alimentación de conmutación
• Ideal para conjuntos de transistor de potencia TO-247 de 500 V con orificio pasante
• Se utiliza con inversores de alta tensión y etapas de accionamiento de motor
• Puede utilizarse para fuentes de alimentación y convertidores industriales
• Se utiliza para reparaciones de orificios pasantes heredados y placas de prototipos
• Ideal para conjuntos de transistor de potencia TO-247 de 500 V con orificio pasante
• Se utiliza con inversores de alta tensión y etapas de accionamiento de motor
• Puede utilizarse para fuentes de alimentación y convertidores industriales
• Se utiliza para reparaciones de orificios pasantes heredados y placas de prototipos
¿Cuáles son los límites térmicos para el despliegue en entornos calientes?
Está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, lo que permite el funcionamiento en sistemas de temperatura elevada.
¿Qué método de montaje es necesario para una instalación fiable?
El dispositivo utiliza montaje de orificio pasante en un encapsulado TO-247AC, compatible con procesos de soldadura por ola o manual estándar y disposiciones de disipación térmica.
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta debo admitir durante el diseño?
Diseñado para una tensión nominal máxima de fuente de puerta de 30 V y cuenta con una carga de puerta típica de 46 nC al dimensionar circuitos de accionamiento.
¿Cómo cumple la pieza las restricciones de material para la fabricación?
Cumple la directiva RoHS y los requisitos de restricción de materiales de las normativas ambientales.
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