MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHG20N50E-GE3, VDSS 500 V, ID 19 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- Código RS:
- 121-9656
- Referência do fabricante:
- SIHG20N50E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 121-9656
- Referência do fabricante:
- SIHG20N50E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 19A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | TO-247AC | |
| Serie | E | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 184mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 179W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 46nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 5.31mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 20.82mm | |
| Longitud | 15.87mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 19A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado TO-247AC | ||
Serie E | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 184mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 179W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 46nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 5.31mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 20.82mm | ||
Longitud 15.87mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 500 V, corriente de drenaje continua máxima de 19 A - SIHG20N50E-GE3
Este MOSFET de potencia es un transistor de canal N de alta tensión diseñado para conmutación y conversión de potencia en sistemas industriales y eléctricos. Funciona en modo de mejora y se suministra en un encapsulado TO-247 de orificio pasante, lo que lo convierte en adecuado para montajes que requieren un montaje robusto y una gestión térmica sencilla. El dispositivo admite alta tensión de drenaje-fuente y está diseñado para aplicaciones que requieren capacidades elevadas de manejo de potencia y accionamiento de puerta.
Características y ventajas:
• Vds máximo de 500 V que permite capacidad de conmutación de alta tensión
• Corriente de drenaje continua de 19 A para una manipulación de carga sustancial
• Rds(on) de 184 mΩ para reducir las pérdidas por conducción
• carga de puerta típica de 46 nC que permite requisitos de accionamiento predecibles
• Disipación de potencia máxima de 179 W para una gestión de alta tensión térmica
• Tensión de fuente de puerta máxima de 30 V para una amplia compatibilidad de accionamiento de puerta
• Corriente de drenaje continua de 19 A para una manipulación de carga sustancial
• Rds(on) de 184 mΩ para reducir las pérdidas por conducción
• carga de puerta típica de 46 nC que permite requisitos de accionamiento predecibles
• Disipación de potencia máxima de 179 W para una gestión de alta tensión térmica
• Tensión de fuente de puerta máxima de 30 V para una amplia compatibilidad de accionamiento de puerta
Aplicaciones
• Apto para convertidores dc-dc de alta tensión en sistemas de alimentación
• Ideal para etapas de conmutación de accionamiento de motor industrial
• Se utiliza con fuentes de alimentación para equipos de telecomunicaciones e infraestructura
• Se puede utilizar para topologías de conmutación dura en inversores
• Apto para diseños de alimentación de orificio pasante de laboratorio y prototipos
• Ideal para etapas de conmutación de accionamiento de motor industrial
• Se utiliza con fuentes de alimentación para equipos de telecomunicaciones e infraestructura
• Se puede utilizar para topologías de conmutación dura en inversores
• Apto para diseños de alimentación de orificio pasante de laboratorio y prototipos
¿En qué intervalo de temperatura puede funcionar con fiabilidad?
El dispositivo está clasificado para una temperatura ambiente mínima de -55 °C y una temperatura máxima de funcionamiento de 150 °C, lo que permite adaptarse a una amplia gama de condiciones ambientales.
¿Cómo admite el encapsulado el montaje y la extracción de calor?
El encapsulado de orificio pasante TO-247 proporciona una gran área de pestaña para disipación térmica y montaje seguro en PCB o chasis para facilitar la gestión térmica en aplicaciones de alta disipación.
¿Qué límites de accionamiento de puerta deben observarse durante el diseño?
La tensión de fuente de puerta no debe superar 30 V para evitar la tensión de óxido de puerta, y los diseñadores deben dimensionar el controlador para manejar la carga de puerta típica de 46 nC para una conmutación controlada.
¿Hay consideraciones para las pérdidas de conmutación con este dispositivo?
Los diseñadores deben tener en cuenta tanto la pérdida de conducción de 184 mΩ en estado activado como las pérdidas dinámicas relacionadas con la carga de puerta de 46 nC al calcular la energía de conmutación total.
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