MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHG20N50E-GE3, VDSS 500 V, ID 19 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
121-9656
Referência do fabricante:
SIHG20N50E-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

19A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Encapsulado

TO-247

Serie

E

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

180mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

46nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

179W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

20.82mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.31 mm

Longitud

15.87mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, serie E, bajo factor de mérito, Vishay Semiconductor


Los MOSFET de potencia de la serie E de Vishay son transistores de alta tensión con un nivel máximo en resistencia, factor de mérito bajo y una conmutación rápida. Están disponibles en una amplia gama de corrientes nominales. Las aplicaciones típicas incluyen servidores y fuentes de alimentación para telecomunicaciones, iluminación LED, convertidores Flyback, corrección de factor de potencia (PFC) y fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS).

Características


Bajo factor de mérito (FOM) RDS(on) x QG

Baja capacitancia de entrada (Ciss)

Nivel bajo en resistencia (RDS(on))

Carga de compuerta (Qg) ultrabaja

Conmutación rápida

Menores pérdidas por conmutación y conducción

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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