MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 650 V, ID 34 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidade

Subtotal (1 tubo de 25 unidades)*

82,85 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde

Unidad(es)
Por unidade
Por Tubo*
25 - 753,314 €82,85 €
100 - 4752,766 €69,15 €
500 - 9752,732 €68,30 €
1000 +2,699 €67,48 €

*preço indicativo

Código RS:
268-8296
Referência do fabricante:
SIHG085N60EF-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

34A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-247AC

Serie

EF

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.084Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

63nC

Disipación de potencia máxima Pd

184W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

15.7mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de potencia serie EF de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 650 V, corriente de drenaje continua de 34 A - SIHG085N60EF-GE3


Este MOSFET de potencia es un dispositivo de canal N de alta tensión diseñado para tareas de conmutación y control en sistemas industriales y electrónicos. Funciona en modo de mejora y se suministra en un encapsulado TO-247 de orificio pasante adecuado para montajes que requieren un montaje robusto y un manejo térmico. El dispositivo se dirige a aplicaciones en las que se requiere una tensión de bloqueo elevada y una capacidad de corriente continua sustancial.

Características y ventajas:


• La tensión máxima de drenaje-fuente de 650 V permite la conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 34 A admite la manipulación de cargas pesadas
• La baja Rds(on) de 0,084 Ω reduce las pérdidas por conducción
• La disipación de potencia de 184 W permite un funcionamiento de mayor potencia
• La carga de puerta típica 63nC facilita la conmutación rápida en SMPS
• La temperatura de funcionamiento máxima de 150 °C soporta entornos calientes

Aplicaciones


• Apto para fuentes de alimentación de modo conmutado de alta tensión
• Ideal para extremos delanteros de accionamiento de motor industrial
• Se utiliza para la conversión de potencia en inversores de energía renovable
• Se puede utilizar para circuitos de impulsos e inversores de alta tensión

¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta se requieren para este dispositivo?


La unidad de puerta debe alojar una tensión nominal máxima de fuente de puerta de 30 V y gestionar una carga de puerta típica de 63 nC para lograr la velocidad de conmutación deseada al tiempo que limita el exceso de transitorios.

¿Cómo debe abordarse la gestión térmica en instalaciones exigentes?


Con una disipación de potencia nominal de 184 W, utilice un disipador térmico y un montaje térmico de tamaño adecuado en el formato de orificio pasante TO-247 para mantener las temperaturas de unión dentro de los límites del dispositivo.

¿Hay límites ambientales de funcionamiento para implementaciones robustas?


El dispositivo está especificado para funcionar hasta -55 °C y hasta 150 °C, lo que permite su uso en un amplio rango de temperaturas común en entornos industriales.

¿Qué límites de tensión eléctrica deben observar los diseñadores?


Los diseñadores deben respetar el máximo de la fuente de drenaje de 650 V y garantizar la protección transitoria para picos de tensión que puedan superar este valor nominal.

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.