MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHG21N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 17.4 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- Código RS:
- 188-4876
- Referência do fabricante:
- SIHG21N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 188-4876
- Referência do fabricante:
- SIHG21N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 17.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-247AC | |
| Serie | E | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 235mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 48nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 179W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 5.31mm | |
| Altura | 20.82mm | |
| Longitud | 15.87mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 17.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-247AC | ||
Serie E | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 235mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 48nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 179W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 5.31mm | ||
Altura 20.82mm | ||
Longitud 15.87mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 800 V, corriente de drenaje continua de 17,4 A - SIHG21N80AE-GE3
Este MOSFET de potencia es un dispositivo de conmutación de canal N de alta tensión diseñado para entornos industriales y de conversión de potencia. Funciona como un transistor de modo de mejora capaz de manejar tensiones y corrientes sustanciales al tiempo que se monta en orificio pasante en un encapsulado TO-247AC. El dispositivo es adecuado para sistemas que requieren una conmutación de semiconductores resistente en un amplio rango de temperatura ambiente.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje de 800 V permite una capacidad de conmutación de alta tensión
• El drenaje continuo de 17,4 A admite una corriente de carga significativa
• La Rds(on) de 235 mΩ proporciona pérdidas de conducción reducidas
• La disipación de potencia de 179 W permite un funcionamiento de alta potencia
• La carga de puerta típica de 48 nC proporciona una energía de conmutación predecible
• La potencia nominal de puerta de 30 V permite tensiones de accionamiento de puerta comunes
• El drenaje continuo de 17,4 A admite una corriente de carga significativa
• La Rds(on) de 235 mΩ proporciona pérdidas de conducción reducidas
• La disipación de potencia de 179 W permite un funcionamiento de alta potencia
• La carga de puerta típica de 48 nC proporciona una energía de conmutación predecible
• La potencia nominal de puerta de 30 V permite tensiones de accionamiento de puerta comunes
Aplicaciones
• Apto para fuentes de alimentación industriales de alta tensión
• Ideal para etapas de conmutación de inversor y accionamiento de motor
• Se utiliza con topologías de conmutación dura en convertidores de potencia
• Se puede utilizar para amplificadores de audio de clase D que requieren alta tensión
• Apto para electrónica de energía y energía renovable
• Ideal para etapas de conmutación de inversor y accionamiento de motor
• Se utiliza con topologías de conmutación dura en convertidores de potencia
• Se puede utilizar para amplificadores de audio de clase D que requieren alta tensión
• Apto para electrónica de energía y energía renovable
¿Qué rango de tensión de accionamiento de puerta puedo utilizar con seguridad?
El dispositivo acepta una tensión máxima de puerta a fuente de 30 V, por lo que los circuitos de accionamiento de puerta deben diseñarse para permanecer dentro de este límite para evitar la tensión de puerta.
¿Cómo se comporta a temperaturas extremas?
El transistor está diseñado para funcionar de –55 a 150 °C, lo que permite su uso en instalaciones industriales de alta temperatura con una gestión térmica adecuada.
¿Qué consideraciones de montaje se aplican al diseño de PCB?
Se suministra en un encapsulado TO-247AC de orificio pasante, por lo que los diseños de placa deben incluir una separación de orificios adecuada y disposiciones de disipación térmica para el tamaño del encapsulado.
¿Qué comportamiento de conmutación debo esperar de las características de la puerta?
Con una carga de puerta total típica de 48 nC, los diseñadores pueden estimar la energía de conmutación y seleccionar controladores de puerta que equilibren la velocidad de conmutación y la EMI para su topología.
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