MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHG155N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 21 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- Código RS:
- 279-9912
- Referência do fabricante:
- SIHG155N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
9,99 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 468 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 2 | 4,995 € | 9,99 € |
| 4 - 8 | 4,895 € | 9,79 € |
| 10 - 28 | 4,79 € | 9,58 € |
| 30 - 98 | 4,69 € | 9,38 € |
| 100 + | 4,52 € | 9,04 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 279-9912
- Referência do fabricante:
- SIHG155N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 21A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | SIHG | |
| Encapsulado | TO-247AC | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.159Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 179W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 38nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 15.7mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 21A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie SIHG | ||
Encapsulado TO-247AC | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.159Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 179W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 38nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 15.7mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Vishay es de potencia de la serie E con diodo de cuerpo rápido, y el transistor que lleva está fabricado de material conocido como silicio.
Tecnología de la serie E de 4.ª generación
Bajo factor de mérito (FOM), Ron x Qg
Capacitancia efectiva baja
Calificación energética de avalancha
Reducción de pérdidas de conmutación y conducción
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHG155N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 21 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHG25N40D-GE3, VDSS 400 V, ID 25 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHG080N65SF-GE3, VDSS 650 V, ID 46 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHG026N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 88 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHG110N65SF-GE3, VDSS 650 V, ID 33 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHG041N65SF-GE3, VDSS 650 V, ID 74 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHG050N65SF-GE3, VDSS 650 V, ID 64 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHG32N50D-GE3, VDSS 500 V, ID 30 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
