MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHG155N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 21 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines

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Código RS:
279-9912
Referência do fabricante:
SIHG155N60EF-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

21A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

SIHG

Encapsulado

TO-247AC

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.159Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

179W

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

38nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

15.7mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Vishay es de potencia de la serie E con diodo de cuerpo rápido, y el transistor que lleva está fabricado de material conocido como silicio.

Tecnología de la serie E de 4.ª generación

Bajo factor de mérito (FOM), Ron x Qg

Capacitancia efectiva baja

Calificación energética de avalancha

Reducción de pérdidas de conmutación y conducción

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