MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SIHG11N80AEF-GE3, VDSS 800 V, ID 8 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 tubo de 25 unidades)*

56,075 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 500 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Tubo*
25 - 1002,243 €56,08 €
125 +2,198 €54,95 €

*preço indicativo

Código RS:
653-136
Referência do fabricante:
SIHG11N80AEF-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

EF

Encapsulado

TO-247AC

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.483Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

41nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

78W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

20.70 mm

Longitud

16.25mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia Vishay está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta tensión. Dispone de un diodo de cuerpo rápido, una baja cifra de mérito (FOM) y una capacidad efectiva reducida para mejorar la eficiencia. Ideal para servidores, telecomunicaciones, SMPS y fuentes de alimentación de corrección de factor de potencia, se suministra en un encapsulado TO-247AC robusto.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

Links relacionados