MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 1 A, Mejora, IPAK de 3 pines

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Código RS:
168-7564
Referência do fabricante:
STD1NK60-1
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

IPAK

Serie

MDmesh, SuperMESH

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.5Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

30W

Tensión directa Vf

1.6V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

2.4mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.6mm

Anchura

6.2mm

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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