MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 2.5 A, Mejora, IPAK de 3 pines
- Código RS:
- 168-6701
- Referência do fabricante:
- STD3NK80Z-1
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 tubo de 75 unidades)*
56,325 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 18 de maio de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | 0,751 € | 56,33 € |
| 150 + | 0,706 € | 52,95 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 168-6701
- Referência do fabricante:
- STD3NK80Z-1
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | IPAK | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 70W | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Altura | 6.2mm | |
| Anchura | 2.4 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado IPAK | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 70W | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.6mm | ||
Altura 6.2mm | ||
Anchura 2.4 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD3NK80Z-1, VDSS 800 V, ID 2.5 A, Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 2.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 2.5 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 6 A, Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STF3NK80Z, VDSS 800 V, ID 2.5 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP3N80K5, VDSS 800 V, ID 2.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP3NK80Z, VDSS 800 V, ID 2.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPU80R900P7AKMA1, VDSS 800 V, ID 6 A, Mejora, IPAK de 3 pines