MOSFET de potencia, N-Canal STMicroelectronics STU7NM60N, VDSS 600 V, ID 5 A, Mejora, IPAK (TO-251) de 3 pines

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Código RS:
168-7528
Referência do fabricante:
STU7NM60N
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

MDmesh

Encapsulado

IPAK (TO-251)

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.9Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-25V, +25V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14nC

Disipación de potencia máxima Pd

45W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

6.9mm

Anchura

2.4mm

Certificaciones y estándares

ECOPACK

Longitud

6.6mm

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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