MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD3NK60Z-1, VDSS 600 V, ID 2.4 A, Mejora, IPAK de 3 pines
- Código RS:
- 151-949
- Referência do fabricante:
- STD3NK60Z-1
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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*preço indicativo
- Código RS:
- 151-949
- Referência do fabricante:
- STD3NK60Z-1
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | SuperMESH | |
| Encapsulado | IPAK | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.6Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 45W | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 11.8nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie SuperMESH | ||
Encapsulado IPAK | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.6Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 45W | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11.8nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics desarrollado con la tecnología Super MESH, una optimización de la bien establecida Power MESH. Además de una reducción significativa de la resistencia, estos dispositivos están diseñados para garantizar un alto nivel de capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes.
100% avalancha probada
Carga de puerta minimizada
Muy baja capacitancia intrínseca
Protegido Zener
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