MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1 kV, ID 1.85 A, Mejora, IPAK de 3 pines

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Código RS:
761-0238
Referência do fabricante:
STU2NK100Z
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.85A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1kV

Encapsulado

IPAK

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.5Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

16nC

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

70W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

6.9mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

2.4 mm

Longitud

6.6mm

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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