Módulo de potencia SiC Microchip, N-Canal MSCSM330AM15CD3NG, VDSS 3300 V, ID 151 A, Modo de mejora, config. Medio puente
- Código RS:
- 854-516
- Referência do fabricante:
- MSCSM330AM15CD3NG
- Fabricante:
- Microchip
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 unidade)*
540,82 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 05 de abril de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 + | 540,82 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 854-516
- Referência do fabricante:
- MSCSM330AM15CD3NG
- Fabricante:
- Microchip
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | Módulo de potencia SiC | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 151A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 3300V | |
| Serie | mSiC | |
| Tipo de montaje | Disipador | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1013W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Medio puente | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto Módulo de potencia SiC | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 151A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 3300V | ||
Serie mSiC | ||
Tipo de montaje Disipador | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1013W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Configuración de transistor Medio puente | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El módulo de potencia SiC avanzado de Microchip ofrece un diseño de pestaña de fase con impresionantes valores nominales, diseñado principalmente para aplicaciones de alta eficiencia en electrónica de potencia, lo que garantiza fiabilidad y rendimiento superior en condiciones exigentes.
Los diodos Schottky SiC integrados proporcionan una recuperación inversa cero para reducir las pérdidas
El diseño de la fuente Kelvin simplifica la disposición de los accionamientos de la puerta
Gestión térmica robusta con excelente resistencia térmica de unión a carcasa
La alta fiabilidad y las capacidades de montaje directo garantizan una integración perfecta
Links relacionados
- Módulo de potencia SiC Microchip, Canal N-Canal MSCSM330AM15D3NG, VDSS 3300 V, ID 151 A, Modo de mejora, config. Medio
- Módulo de potencia SiC Microchip, Canal N-Canal MSCSM330DUM07CD3NG, VDSS 3300 V, ID 295 A, Modo de mejora, config. Medio
- Módulo de potencia SiC Microchip, Canal N-Canal MSCSM330AM07D3NG, VDSS 3300 V, ID 295 A, Modo de mejora, config. Medio
- Módulo de potencia SiC Microchip, Canal N-Canal MSCSM330AM07CD3NG, VDSS 3300 V, ID 295 A, Modo de mejora, config. Medio
- Módulo de potencia SiC Microchip, Canal N-Canal MSCSM330DUM07D3NG, VDSS 3300 V, ID 295 A, Modo de mejora, config. Medio
- Módulo de potencia SiC ROHM, Tipo N-Canal BSM120D12P2C005, VDSS 1200 V, ID 240 A, Mejora de 4 pines, config. Medio
- Módulo de potencia SiC onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 1200 V, ID 304 A, F2 de 36 pines, config. Aislado
- Módulo de potencia SiC onsemi, Tipo N-Canal NXH006P120MNF2PTG, VDSS 1200 V, ID 304 A, F2 de 36 pines, config. Aislado
