- Código RS:
- 229-6510
- Referência do fabricante:
- NXH006P120MNF2PTG
- Fabricante:
- onsemi
31 Disponível para entrega em 24/48 horas
Adicionado
Preço unitário
289,23 €
Unidades | Por unidade |
1 - 9 | 289,23 € |
10 - 19 | 285,19 € |
20 - 29 | 282,30 € |
30 - 39 | 281,14 € |
40 + | 278,24 € |
- Código RS:
- 229-6510
- Referência do fabricante:
- NXH006P120MNF2PTG
- Fabricante:
- onsemi
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
El módulo DE potencia ON Semiconductor contiene un medio puente MOSFET de SiC de 1200 V y un termistor en un encapsulado F2. Se suele utilizar en inversor solar, SAI, estaciones de carga de vehículos eléctricos y alimentación industrial.
Opciones con material de interfaz térmica preaplicado
Opciones con contactos soldables y contactos de encaje a presión
Sin plomo
En conformidad con RoHS
Opciones con contactos soldables y contactos de encaje a presión
Sin plomo
En conformidad con RoHS
Especificações
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 304 A. |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 1.200 V |
Tipo de Encapsulado | F2 |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 36 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,006 Ω |
Tensión de umbral de puerta máxima | 4.3V |
Material del transistor | SiC |
- Código RS:
- 229-6510
- Referência do fabricante:
- NXH006P120MNF2PTG
- Fabricante:
- onsemi