Módulo de potencia SiC onsemi, N-Canal NXH006P120MNF2PTG, VDSS 1.2 kV, ID 304 A, F2 de 36 pines, config. Aislado

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 tubo de 60 unidades)*

11 617,62 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 29 de setembro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Tubo*
60 +193,627 €11 617,62 €

*preço indicativo

Código RS:
229-6509
Referência do fabricante:
NXH006P120MNF2PTG
Fabricante:
onsemi
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

onsemi

Tipo de canal

N

Tipo de producto

Módulo de potencia SiC

Corriente continua máxima de drenaje ld

304A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1.2kV

Encapsulado

F2

Tipo de montaje

Chasis

Número de pines

36

Disipación de potencia máxima Pd

950W

Tensión directa Vf

6V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

847nC

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

17mm

Anchura

57mm

Certificaciones y estándares

Halide Free, Pb-Free, RoHS

Longitud

63.3mm

Estándar de automoción

No

El módulo DE potencia ON Semiconductor contiene un medio puente MOSFET de SiC de 1200 V y un termistor en un encapsulado F2. Se suele utilizar en inversor solar, SAI, estaciones de carga de vehículos eléctricos y alimentación industrial.

Opciones con material de interfaz térmica preaplicado

Opciones con contactos soldables y contactos de encaje a presión

Sin plomo

En conformidad con RoHS

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.