Módulo de potencia SiC Microchip, Canal N-Canal MSCSM330DUM07CD3NG, VDSS 3300 V, ID 295 A, Modo de mejora, config. Medio
- Código RS:
- 854-514
- Referência do fabricante:
- MSCSM330DUM07CD3NG
- Fabricante:
- Microchip
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 unidade)*
898,88 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 15 de março de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 + | 898,88 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 854-514
- Referência do fabricante:
- MSCSM330DUM07CD3NG
- Fabricante:
- Microchip
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | Módulo de potencia SiC | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 295A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 3300V | |
| Serie | mSiC | |
| Tipo de montaje | Disipador | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1918W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Configuración de transistor | Medio puente | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto Módulo de potencia SiC | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 295A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 3300V | ||
Serie mSiC | ||
Tipo de montaje Disipador | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1918W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Configuración de transistor Medio puente | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El módulo de alimentación de carburo de silicio de Microchip combina la funcionalidad de fuente común doble con capacidades de alta tensión, diseñado para un funcionamiento eficiente y un rendimiento superior en aplicaciones exigentes.
La baja R DS(on) garantiza una pérdida de potencia mínima
El comportamiento de conmutación independiente de la temperatura aumenta la fiabilidad
La placa base de cobre proporciona una excelente gestión térmica
Cumple la directiva RoHS para operaciones respetuosas con el medioambiente
Links relacionados
- Módulo de potencia SiC Microchip, Canal N-Canal MSCSM330AM07D3NG, VDSS 3300 V, ID 295 A, Modo de mejora, config. Medio
- Módulo de potencia SiC Microchip, Canal N-Canal MSCSM330AM07CD3NG, VDSS 3300 V, ID 295 A, Modo de mejora, config. Medio
- Módulo de potencia SiC Microchip, Canal N-Canal MSCSM330DUM07D3NG, VDSS 3300 V, ID 295 A, Modo de mejora, config. Medio
- Módulo de potencia SiC Microchip, Canal N-Canal MSCSM330AM15CD3NG, VDSS 3300 V, ID 151 A, Modo de mejora, config. Medio
- Módulo de potencia SiC Microchip, Canal N-Canal MSCSM330AM15D3NG, VDSS 3300 V, ID 151 A, Modo de mejora, config. Medio
- Módulo de potencia SiC ROHM, Tipo N-Canal BSM120D12P2C005, VDSS 1200 V, ID 240 A, Mejora de 4 pines, config. Medio
- Módulo de potencia SiC onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 1200 V, ID 304 A, F2 de 36 pines, config. Aislado
- Módulo de potencia SiC onsemi, Tipo N-Canal NXH006P120MNF2PTG, VDSS 1200 V, ID 304 A, F2 de 36 pines, config. Aislado
