Módulo de potencia SiC Microchip, Canal N-Canal MSCSM330DUM07CD3NG, VDSS 3300 V, ID 295 A, Modo de mejora, config. Medio
- Código RS:
- 854-514
- Referência do fabricante:
- MSCSM330DUM07CD3NG
- Fabricante:
- Microchip
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- 854-514
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- MSCSM330DUM07CD3NG
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | Módulo de potencia SiC | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 295A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 3300V | |
| Serie | mSiC | |
| Tipo de montaje | Disipador | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1918W | |
| Configuración de transistor | Medio puente | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto Módulo de potencia SiC | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 295A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 3300V | ||
Serie mSiC | ||
Tipo de montaje Disipador | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1918W | ||
Configuración de transistor Medio puente | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El módulo de alimentación de carburo de silicio de Microchip combina la funcionalidad de fuente común doble con capacidades de alta tensión, diseñado para un funcionamiento eficiente y un rendimiento superior en aplicaciones exigentes.
La baja R DS(on) garantiza una pérdida de potencia mínima
El comportamiento de conmutación independiente de la temperatura aumenta la fiabilidad
La placa base de cobre proporciona una excelente gestión térmica
Cumple la directiva RoHS para operaciones respetuosas con el medioambiente
