Módulo de potencia SiC Microchip, Canal N-Canal MSCSM330DUM07D3NG, VDSS 3300 V, ID 295 A, Modo de mejora, config. Medio
- Código RS:
- 854-517
- Referência do fabricante:
- MSCSM330DUM07D3NG
- Fabricante:
- Microchip
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 unidade)*
733,92 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 15 de março de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 + | 733,92 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 854-517
- Referência do fabricante:
- MSCSM330DUM07D3NG
- Fabricante:
- Microchip
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | Módulo de potencia SiC | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 295A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 3300V | |
| Serie | mSiC | |
| Tipo de montaje | Disipador | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1918W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Configuración de transistor | Medio puente | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto Módulo de potencia SiC | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 295A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 3300V | ||
Serie mSiC | ||
Tipo de montaje Disipador | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1918W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Configuración de transistor Medio puente | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El módulo de potencia de carburo de silicio de Microchip está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento, lo que proporciona funcionalidad de fuente común doble con una fiabilidad excepcional en condiciones exigentes. Este dispositivo gestiona eficazmente los requisitos de alta tensión y corriente.
La fuente Kelvin simplifica el accionamiento de la puerta, lo que mejora el rendimiento
Diseñado para un alto rendimiento térmico con baja resistencia térmica de unión a carcasa
Cumple con la normativa RoHS, lo que garantiza la seguridad medioambiental
Links relacionados
- Módulo de potencia SiC Microchip, Canal N-Canal MSCSM330DUM07CD3NG, VDSS 3300 V, ID 295 A, Modo de mejora, config. Medio
- Módulo de potencia SiC Microchip, Canal N-Canal MSCSM330AM07D3NG, VDSS 3300 V, ID 295 A, Modo de mejora, config. Medio
- Módulo de potencia SiC Microchip, Canal N-Canal MSCSM330AM07CD3NG, VDSS 3300 V, ID 295 A, Modo de mejora, config. Medio
- Módulo de potencia SiC Microchip, Canal N-Canal MSCSM330AM15CD3NG, VDSS 3300 V, ID 151 A, Modo de mejora, config. Medio
- Módulo de potencia SiC Microchip, Canal N-Canal MSCSM330AM15D3NG, VDSS 3300 V, ID 151 A, Modo de mejora, config. Medio
- Módulo de potencia SiC ROHM, Tipo N-Canal BSM120D12P2C005, VDSS 1200 V, ID 240 A, Mejora de 4 pines, config. Medio
- Módulo de potencia SiC onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 1200 V, ID 304 A, F2 de 36 pines, config. Aislado
- Módulo de potencia SiC onsemi, Tipo N-Canal NXH006P120MNF2PTG, VDSS 1200 V, ID 304 A, F2 de 36 pines, config. Aislado