Módulo de potencia SiC Microchip, Canal N-Canal MSCSM330DUM07D3NG, VDSS 3300 V, ID 295 A, Modo de mejora, config. Medio

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Código RS:
854-517
Referência do fabricante:
MSCSM330DUM07D3NG
Fabricante:
Microchip
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Marca

Microchip

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

Módulo de potencia SiC

Corriente continua máxima de drenaje ld

295A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

3300V

Serie

mSiC

Tipo de montaje

Disipador

Modo de canal

Modo de mejora

Disipación de potencia máxima Pd

1918W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Configuración de transistor

Medio puente

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El módulo de potencia de carburo de silicio de Microchip está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento, lo que proporciona funcionalidad de fuente común doble con una fiabilidad excepcional en condiciones exigentes. Este dispositivo gestiona eficazmente los requisitos de alta tensión y corriente.

La fuente Kelvin simplifica el accionamiento de la puerta, lo que mejora el rendimiento

Diseñado para un alto rendimiento térmico con baja resistencia térmica de unión a carcasa

Cumple con la normativa RoHS, lo que garantiza la seguridad medioambiental

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