Módulo de potencia SiC ROHM, Tipo N-Canal BSM120D12P2C005, VDSS 1200 V, ID 240 A, Mejora de 4 pines, config. Medio
- Código RS:
- 144-2257
- Referência do fabricante:
- BSM120D12P2C005
- Fabricante:
- ROHM
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Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
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| 10 - 24 | 403,82 € |
| 25 + | 393,61 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 144-2257
- Referência do fabricante:
- BSM120D12P2C005
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | Módulo de potencia SiC | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 240A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | BSM | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Configuración de transistor | Medio puente | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 122mm | |
| Altura | 17mm | |
| Anchura | 45.6 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto Módulo de potencia SiC | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 240A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie BSM | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Configuración de transistor Medio puente | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 122mm | ||
Altura 17mm | ||
Anchura 45.6 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- JP
Módulos de potencia SiC, ROHM
El módulo consta de un FET de alimentación DMOS de carburo de silicio (SiC) con un diodo de barrera Schottky (SBD) a través del drenador y la fuente.
Configuración de medio puente
Corriente baja de transitorios
Pérdidas de potencia por conmutación bajas
Conmutación de alta velocidad
Baja temperatura de funcionamiento
Transistores MOSFET, ROHM Semiconductor
Note
El módulo de alimentación SiC BSM180D12P2C101 no incluye diodos de barrera Schottky.
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