MOSFET de potencia STMicroelectronics, Canal N-Canal ST2H8N120K5AG, VDSS 1200 V, ID 6 A, H2PAK-2, Modo de mejora de 3
- Código RS:
- 814-401
- Referência do fabricante:
- ST2H8N120K5AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 814-401
- Referência do fabricante:
- ST2H8N120K5AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | H2PAK-2 | |
| Serie | MDmesh K5 | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.65Ω | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 165W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 10.98mm | |
| Longitud | 10.98mm | |
| Altura | 15.55mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado H2PAK-2 | ||
Serie MDmesh K5 | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.65Ω | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 165W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 10.98mm | ||
Longitud 10.98mm | ||
Altura 15.55mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics proporciona un rendimiento fiable de alta tensión para aplicaciones exigentes, lo que garantiza una eficiencia y densidad de potencia óptimas en entornos de automoción.
Grado de automoción, certificación AEC-Q101 para mayor fiabilidad
Carga de puerta ultrabaja y cifra de mérito muy baja para reducir la pérdida de potencia
Tensión de drenaje-fuente máxima de 1200 V con una corriente de drenaje máxima de 6 A
Diseñado con tecnología Advanced MDmesh K5 para un rendimiento térmico superior