Módulo de potencia SiC STMicroelectronics, N-Canal SCTH50N120-7, VDSS 1.2 kV, ID 55 A, H2PAK-7, Mejora de 7 pines
- Código RS:
- 204-3954
- Referência do fabricante:
- SCTH50N120-7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 204-3954
- Referência do fabricante:
- SCTH50N120-7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | Módulo de potencia SiC | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 1.2 kV | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 55 A | |
| Encapsulado | H2PAK-7 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 0.065 Ω | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Serie | SCTH50N120-7 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto Módulo de potencia SiC | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 1.2 kV | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 55 A | ||
Encapsulado H2PAK-7 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 0.065 Ω | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Serie SCTH50N120-7 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties ofwide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.
Very tight variation of on-resistance vs.
temperature
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance
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