Módulo de potencia SiC STMicroelectronics, Tipo N-Canal SCTH50N120-7, VDSS 1200 V, ID 55 A, H2PAK-7, Mejora de 7 pines
- Código RS:
- 204-3954
- Referência do fabricante:
- SCTH50N120-7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 204-3954
- Referência do fabricante:
- SCTH50N120-7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | Módulo de potencia SiC | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 55A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | H2PAK-7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.065Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto Módulo de potencia SiC | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 55A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado H2PAK-7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.065Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se produce aprovechando las propiedades avanzadas e innovadoras de los materiales de amplia separación de banda. Esto da como resultado una resistencia de encendido sin precedentes por área de unidad y un muy buen rendimiento de conmutación casi independiente de la temperatura.
Variación muy estrecha de la resistencia de encendido vs.
temperatura
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Baja capacitancia
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