MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STH8N120K5-2AG, VDSS 1200 V, ID 6 A, Modo de mejora, H2PAK-2 de 3
- Código RS:
- 800-461
- Referência do fabricante:
- STH8N120K5-2AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 800-461
- Referência do fabricante:
- STH8N120K5-2AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | H2PAK-2 | |
| Serie | STH285N10F8-6AG | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.65mΩ | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 14.4nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 165W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Altura | 15.8mm | |
| Anchura | 4.7mm | |
| Certificaciones y estándares | ECOPACK | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado H2PAK-2 | ||
Serie STH285N10F8-6AG | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.65mΩ | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 14.4nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 165W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.4mm | ||
Altura 15.8mm | ||
Anchura 4.7mm | ||
Certificaciones y estándares ECOPACK | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión de STMicroelectronics está diseñado con tecnología MDmesh K5 basada en una innovadora estructura vertical patentada. El resultado es una reducción dramática de la resistencia de conexión y una carga de puerta ultrabaja para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.
Certificación AEC-Q101
RDS(on) x área más baja del sector
Mejor FoM (figura de mérito) del sector
Carga de puerta ultrabaja
100 % a prueba de avalancha
Protegido por Zener
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