MOSFET, N-Canal STMicroelectronics SCTH40N120G2V-7, VDSS 1.2 kV, ID 33 A, Mejora, H2PAK de 7 pines

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Código RS:
219-4222
Referência do fabricante:
SCTH40N120G2V-7
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

33A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1.2kV

Encapsulado

H2PAK

Serie

SCTH40N

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

105mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

250W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

61nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.4mm

Altura

15.25mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.8mm

Estándar de automoción

No

STMicroelectronics el dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora MOSFET 2nd generación sic de ST. El dispositivo dispone de una resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de unión.

Certificación AEC-Q101

Capacidad de temperatura de unión de funcionamiento muy alta (TJ = 175 °C)

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Capacitancia de entrada y carga de puerta extremadamente baja

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