MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 12 A, Mejora, H2PAK de 3 pines
- Código RS:
- 233-3040
- Referência do fabricante:
- STH12N120K5-2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 233-3040
- Referência do fabricante:
- STH12N120K5-2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | STB37N60 | |
| Encapsulado | H2PAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 690mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 44.2nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Anchura | 15.8 mm | |
| Altura | 4.8mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie STB37N60 | ||
Encapsulado H2PAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 690mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 44.2nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.4mm | ||
Anchura 15.8 mm | ||
Altura 4.8mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de potencia de canal N de muy alta tensión STMicroelectronics están diseñados con tecnología MDmesh™ K5 basada en una estructura vertical patentada innovadora. El resultado es una reducción drástica de la resistencia de conexión y carga de puerta ultrabaja para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.
Mejor FOM en todo el mundo (cifra de mérito)
Carga de compuerta ultrabaja
100 % a prueba de avalancha
Protección Zener
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