MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 12 A, Mejora, H2PAK de 3 pines

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Código RS:
233-3040
Referência do fabricante:
STH12N120K5-2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

H2PAK

Serie

STB37N60

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

690mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.5V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Disipación de potencia máxima Pd

250W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

44.2nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

4.8mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

15.8mm

Longitud

10.4mm

Estándar de automoción

No

Los MOSFET de potencia de canal N de muy alta tensión STMicroelectronics están diseñados con tecnología MDmesh™ K5 basada en una estructura vertical patentada innovadora. El resultado es una reducción drástica de la resistencia de conexión y carga de puerta ultrabaja para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.

Mejor FOM en todo el mundo (cifra de mérito)

Carga de compuerta ultrabaja

100 % a prueba de avalancha

Protección Zener

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