MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT20N120H, VDSS 1200 V, ID 20 A, Mejora, H2PAK-2 de 3 pines
- Código RS:
- 201-4416
- Referência do fabricante:
- SCT20N120H
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 201-4416
- Referência do fabricante:
- SCT20N120H
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | H2PAK-2 | |
| Serie | SiC MOSFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 203mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 45nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.7 mm | |
| Altura | 10.4mm | |
| Longitud | 15.8mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado H2PAK-2 | ||
Serie SiC MOSFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 203mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 45nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.7 mm | ||
Altura 10.4mm | ||
Longitud 15.8mm | ||
Estándar de automoción No | ||
STMicroelectronics, un MOSFET de potencia de carburo de silicio que aprovecha las propiedades Advanced e innovadoras de materiales de banda ancha. El material SiC tiene excelentes propiedades térmicas.
Variación muy ajustada de resistencia de conexión frente a. temperatura
Capacidad de temperatura de unión de funcionamiento muy alta
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Baja capacitancia
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