MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT20N120H, VDSS 1200 V, ID 20 A, Mejora, H2PAK-2 de 3 pines
- Código RS:
- 201-4416
- Referência do fabricante:
- SCT20N120H
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
13,31 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 30 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 49 | 13,31 € |
| 50 - 99 | 10,32 € |
| 100 - 249 | 9,40 € |
| 250 - 499 | 9,17 € |
| 500 + | 8,93 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 201-4416
- Referência do fabricante:
- SCT20N120H
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | H2PAK-2 | |
| Serie | SiC MOSFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 203mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 45nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 4.7 mm | |
| Altura | 10.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 15.8mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado H2PAK-2 | ||
Serie SiC MOSFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 203mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 45nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 4.7 mm | ||
Altura 10.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 15.8mm | ||
Estándar de automoción No | ||
STMicroelectronics, un MOSFET de potencia de carburo de silicio que aprovecha las propiedades Advanced e innovadoras de materiales de banda ancha. El material SiC tiene excelentes propiedades térmicas.
Variación muy ajustada de resistencia de conexión frente a. temperatura
Capacidad de temperatura de unión de funcionamiento muy alta
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Baja capacitancia
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 20 A, Mejora, H2PAK-2 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 12 A, Mejora, H2PAK de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 33 A, Mejora, H2PAK de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 40 A, Mejora, H2PAK-7 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT025H120G3AG, VDSS 1200 V, ID 55 A, Mejora, H2PAK-7 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT040H120G3AG, VDSS 1200 V, ID 40 A, Mejora, H2PAK-7 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT070H120G3AG, VDSS 1200 V, ID 30 A, H2PAK-7, Mejora de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STH12N120K5-2, VDSS 1200 V, ID 12 A, Mejora, H2PAK de 3 pines