MOSFET, N-Canal Infineon IMZC120R040M2HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 34 A, Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- Código RS:
- 351-930
- Referência do fabricante:
- IMZC120R040M2HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
10,76 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 165 unidade(s) para enviar a partir do dia 28 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 10,76 € |
| 10 - 99 | 9,68 € |
| 100 + | 8,94 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 351-930
- Referência do fabricante:
- IMZC120R040M2HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 34A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | IMZC120 | |
| Encapsulado | PG-TO-247-4-U07 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 40mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 39nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 218W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC47/20/22 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 34A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie IMZC120 | ||
Encapsulado PG-TO-247-4-U07 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 40mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 39nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 218W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC47/20/22 | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie IMZC120 de Infineon, disipación de potencia máxima de 218 W, tensión de fuente de drenaje máxima de 1200 V - IMZC120R040M2HXKSA1
Este MOSFET de modo de mejora de canal n es un transistor de conmutación de alta tensión diseñado para entornos exigentes de conversión de potencia. Está diseñado para el montaje en orificio pasante en equipos que requieren una robusta capacidad de bloqueo de drenaje a fuente y un manejo de corriente continua sustancial, funcionando en un amplio rango térmico adecuado para condiciones hostiles.
Características y ventajas:
• La potencia nominal de drenaje-fuente de 1200 V permite diseños de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 34 A admite un funcionamiento de carga pesada
• La baja Rds(on) de 40 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• Disipación de potencia de 218 W para conmutación de alta potencia
• La carga de puerta típica de 39 nC permite una energía de conmutación controlada
• El encapsulado PG-TO-247-4 con orificios pasantes simplifica el montaje del prototipo
• La corriente de drenaje continua de 34 A admite un funcionamiento de carga pesada
• La baja Rds(on) de 40 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• Disipación de potencia de 218 W para conmutación de alta potencia
• La carga de puerta típica de 39 nC permite una energía de conmutación controlada
• El encapsulado PG-TO-247-4 con orificios pasantes simplifica el montaje del prototipo
Aplicaciones
• Apto para fuentes de alimentación y convertidores de alta tensión
• Se utiliza con accionamientos de motor que requieren gran capacidad de corriente
• Ideal para tareas de inversor industrial y modo conmutado
• Se puede utilizar para sistemas de carga de baterías en equipos pesados
• Se utiliza para pruebas y desarrollo de electrónica de potencia de laboratorio
• Se utiliza con accionamientos de motor que requieren gran capacidad de corriente
• Ideal para tareas de inversor industrial y modo conmutado
• Se puede utilizar para sistemas de carga de baterías en equipos pesados
• Se utiliza para pruebas y desarrollo de electrónica de potencia de laboratorio
¿Qué condiciones ambientales extremas puede tolerar este dispositivo durante el funcionamiento?
Está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 175 °C, lo que permite su uso en entornos con variación de temperatura severa.
¿Qué tipo de encapsulado y estilo de montaje requiere en una placa de circuito impreso?
El dispositivo se suministra en un encapsulado de orificio pasante PG-TO-247-4 diseñado para montaje atornillado o soldado con disipador térmico adecuado.
¿Cómo afecta el requisito de accionamiento de puerta al diseño de conmutación?
Con una carga de puerta típica de 39 nC a Vgs nominal, los diseñadores deben dimensionar los controladores de puerta y las resistencias de puerta para equilibrar la velocidad de conmutación y las interferencias electromagnéticas al tiempo que se tiene en cuenta la corriente de accionamiento.
¿Qué límites eléctricos deben respetarse para evitar daños en el dispositivo?
La tensión máxima de fuente de puerta es de 25 V y la tensión de fuente de drenaje es de 1200 V
estos valores absolutos no deben superarse durante el funcionamiento.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZC120R017M2HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 69 A, Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZC120R026M2HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 49 A, Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZC120R022M2HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 80 A, Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZC120R012M2HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 91 A, Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZC120R034M2HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 55 A, Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZC120R053M2HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 27 A, Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZC120R078M2HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 20 A, Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZA120R030M1HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 70 A, Mejora, PG-TO-247-4-U02 de 4 pines
