MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZC120R040M2HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 34 A, Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- Código RS:
- 351-930
- Referência do fabricante:
- IMZC120R040M2HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
13,89 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio de 235 unidade(s) a partir do dia 23 de fevereiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 13,89 € |
| 10 - 99 | 12,50 € |
| 100 + | 11,54 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 351-930
- Referência do fabricante:
- IMZC120R040M2HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 34A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | IMZC120 | |
| Encapsulado | PG-TO-247-4-U07 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 40mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 39nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 218W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC47/20/22 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 34A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie IMZC120 | ||
Encapsulado PG-TO-247-4-U07 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 40mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 39nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 218W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC47/20/22 | ||
Estándar de automoción No | ||
Este MOSFET CoolSiC discreto de Infineon con encapsulado con alta fuga de corriente aprovecha las ventajas de la tecnología de primera generación con una mejora significativa que proporciona una solución avanzada para un sistema más rentable, eficiente, compacto, fácil de diseñar y fiable. Rendimiento mejorado tanto en funcionamiento de conmutación dura como en topologías de conmutación suave para todas las combinaciones habituales de etapas AC-DC, DC-DC y DC-AC.
Mejor eficiencia energética
Optimización de la refrigeración
Mayor densidad de potencia
Nuevas características de robustez
Gran fiabilidad
Paralelismo fácil
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZC120R012M2HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 91 A, Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZC120R026M2HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 49 A, Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZC120R022M2HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 80 A, Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZC120R034M2HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 55 A, Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZC120R017M2HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 69 A, Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZC120R053M2HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 27 A, Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZC120R078M2HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 20 A, Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZA120R030M1HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 70 A, Mejora, PG-TO-247-4-U02 de 4 pines