MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZC120R053M2HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 27 A, Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- Código RS:
- 351-931
- Referência do fabricante:
- IMZC120R053M2HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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*preço indicativo
- Código RS:
- 351-931
- Referência do fabricante:
- IMZC120R053M2HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 27A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | IMZC120 | |
| Encapsulado | PG-TO-247-4-U07 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 53mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -10 to 25 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 30nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 182W | |
| Tensión directa Vf | 5.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Anchura | 16 mm | |
| Longitud | 23.5mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC47/20/22 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 27A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie IMZC120 | ||
Encapsulado PG-TO-247-4-U07 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 53mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -10 to 25 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 30nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 182W | ||
Tensión directa Vf 5.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Anchura 16 mm | ||
Longitud 23.5mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC47/20/22 | ||
Estándar de automoción No | ||
Este MOSFET CoolSiC discreto de Infineon con encapsulado con alta fuga de corriente aprovecha las ventajas de la tecnología de primera generación con una mejora significativa que proporciona una solución avanzada para un sistema más rentable, eficiente, compacto, fácil de diseñar y fiable. Rendimiento mejorado tanto en funcionamiento de conmutación dura como en topologías de conmutación suave para todas las combinaciones habituales de etapas AC-DC, DC-DC y DC-AC.
Mejor eficiencia energética
Optimización de la refrigeración
Mayor densidad de potencia
Nuevas características de robustez
Gran fiabilidad
Paralelismo fácil
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