MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZC120R078M2HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 20 A, Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines

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Código RS:
351-933
Referência do fabricante:
IMZC120R078M2HXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

IMZC120

Encapsulado

PG-TO-247-4-U07

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

204mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

21nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

143W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Tensión directa Vf

5.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

200°C

Longitud

23.5mm

Certificaciones y estándares

JEDEC47/20/22

Anchura

16 mm

Estándar de automoción

No

Este MOSFET CoolSiC discreto de Infineon con encapsulado con alta fuga de corriente aprovecha las ventajas de la tecnología de primera generación con una mejora significativa que proporciona una solución avanzada para un sistema más rentable, eficiente, compacto, fácil de diseñar y fiable. Rendimiento mejorado tanto en funcionamiento de conmutación dura como en topologías de conmutación suave para todas las combinaciones habituales de etapas AC-DC, DC-DC y DC-AC.

Mejor eficiencia energética

Optimización de la refrigeración

Mayor densidad de potencia

Nuevas características de robustez

Gran fiabilidad

Paralelismo fácil

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