MOSFET, N-Canal Infineon IMYH200R075M1HXKSA1, VDSS 2000 V, ID 34 A, Mejora, PG-TO-247-4-PLUS-NT14 de 4 pines
- Código RS:
- 349-113
- Referência do fabricante:
- IMYH200R075M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
18,85 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 193 unidade(s) para enviar a partir do dia 28 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 18,85 € |
| 10 - 99 | 16,97 € |
| 100 + | 15,65 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 349-113
- Referência do fabricante:
- IMYH200R075M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 34A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 2000V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Encapsulado | PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 106mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 267W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 64nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 34A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 2000V | ||
Serie CoolSiC | ||
Encapsulado PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 106mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 267W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 64nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
MOSFET de la serie CoolSiC de Infineon, corriente de drenaje continua máxima de 34 A, tensión de fuente de drenaje máxima de 2000 V - IMYH200R075M1HXKSA1
Este MOSFET es un transistor de potencia de carburo de silicio diseñado para conmutación de alta tensión en entornos industriales exigentes y de conversión de potencia. Funciona en un rango de temperatura ampliado y está alojado en un encapsulado de orificio pasante de varios cables adecuado para un montaje robusto y gestión de calor. El dispositivo está diseñado para aplicaciones que requieren un manejo de corriente continuo sustancial y una disipación de potencia elevada.
Características y ventajas:
• Capacidad de drenaje de 2000 V que permite la conmutación de muy alta tensión
• Corriente de drenaje continua de 34 A para un suministro de potencia sostenido
• Disipación de potencia máxima de 267 W que facilita el diseño térmico
• Rds(on) de 106 mΩ que reduce las pérdidas de conducción en vías de alta corriente
• Carga de puerta típica de 64 nC para una energía de conmutación predecible
• El orificio pasante PG-TO-247-4-PLUS-NT14 simplifica la integración del disipador térmico
• Corriente de drenaje continua de 34 A para un suministro de potencia sostenido
• Disipación de potencia máxima de 267 W que facilita el diseño térmico
• Rds(on) de 106 mΩ que reduce las pérdidas de conducción en vías de alta corriente
• Carga de puerta típica de 64 nC para una energía de conmutación predecible
• El orificio pasante PG-TO-247-4-PLUS-NT14 simplifica la integración del disipador térmico
Aplicaciones
• Apto para convertidores e inversores de alta tensión
• Ideal para etapas de potencia de accionamiento de motores industriales
• Se utiliza para fuentes de alimentación de modo conmutado de alta potencia
• Puede utilizarse para electrónica de potencia de energía renovable
• Apto para módulos de potencia de tracción y altas prestaciones
• Ideal para etapas de potencia de accionamiento de motores industriales
• Se utiliza para fuentes de alimentación de modo conmutado de alta potencia
• Puede utilizarse para electrónica de potencia de energía renovable
• Apto para módulos de potencia de tracción y altas prestaciones
¿Qué límites de tensión de puerta deben respetar los diseñadores al accionarlo?
El valor nominal de fuente de puerta es de ±20 V, por lo que los circuitos de accionamiento de puerta deben limitar las excursiones dentro de este rango para evitar la tensión de óxido de puerta.
¿Cómo resiste el dispositivo en entornos térmicos hostiles?
Está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 175 °C, lo que permite a los diseños tolerar amplias fluctuaciones de temperatura ambiente y de unión.
¿Qué configuración de contactos y enfoque de montaje utiliza?
El componente se suministra en un encapsulado de orificio pasante PG-TO-247-4-PLUS-NT14 de cuatro cables, lo que permite un montaje seguro de la PCB y una fijación directa a los disipadores térmicos.
¿Hay restricciones materiales o ambientales para su uso?
Cumple la directiva RoHS, por lo que cumple los requisitos de materiales sin plomo para montajes electrónicos.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMYH200R012M1HXKSA1, VDSS 2000 V, ID 60 A, Mejora, PG-TO-247-4-PLUS-NT14 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMYH200R024M1HXKSA1, VDSS 2000 V, ID 89 A, Mejora, PG-TO-247-4-PLUS-NT14 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMYH200R100M1HXKSA1, VDSS 2000 V, ID 26 A, Mejora, PG-TO-247-4-PLUS-NT14 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMYH200R050M1HXKSA1, VDSS 2000 V, ID 48 A, Mejora, PG-TO-247-4-PLUS-NT14 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZC120R040M2HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 34 A, Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- Infineon IGBT, IKY120N65EH7XKSA1, Tipo N-Canal, 160 A, 650 V, PG-TO-247-4-PLUS-NN5.1, 4 pines Orificio pasante
- Infineon IGBT, IKY140N120CH7XKSA1, Tipo N-Canal, 232 A, 1200 V, PG-TO-247-4-PLUS-NN5.1, 4 pines Orificio pasante
- Infineon IGBT, IKY150N65EH7XKSA1, Tipo N-Canal, 160 A, 650 V, PG-TO-247-4-PLUS-NN5.1, 4 pines Orificio pasante