MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZC120R026M2HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 49 A, Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- Código RS:
- 351-927
- Referência do fabricante:
- IMZC120R026M2HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 49A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | IMZC120 | |
| Encapsulado | PG-TO-247-4-U07 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 69mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 289W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 60nC | |
| Tensión directa Vf | 5.5V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Anchura | 16mm | |
| Longitud | 23.5mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC47/20/22 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 49A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie IMZC120 | ||
Encapsulado PG-TO-247-4-U07 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 69mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 289W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 60nC | ||
Tensión directa Vf 5.5V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Anchura 16mm | ||
Longitud 23.5mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC47/20/22 | ||
Estándar de automoción No | ||
Este MOSFET CoolSiC discreto de 1200 V y 26 mΩ G2 en un encapsulado TO-247 de 4 pines con alta fuga de corriente de Infineon aprovecha las ventajas de la tecnología de primera generación con una mejora significativa que proporciona una solución avanzada para un sistema más rentable, eficiente, compacto, fácil de diseñar y fiable. Rendimiento mejorado tanto en funcionamiento de conmutación dura como en topologías de conmutación suave para todas las combinaciones habituales de etapas AC-DC, DC-DC y DC-AC.
Tiempo de resistencia a cortocircuito 2 μs
Tensión de umbral de puerta de referencia 4,2 V
Robusto contra el encendido parásito
Pérdidas de conmutación muy bajas
Distribución del parámetro VGS(th) más ajustada
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