MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AIMZH120R040M1TXKSA1, VDSS 1200 V, ID 55 A, Mejora, PG-TO-247-4-STD-NT6,7 de 4 pines
- Código RS:
- 349-376
- Referência do fabricante:
- AIMZH120R040M1TXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-376
- Referência do fabricante:
- AIMZH120R040M1TXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 55A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | PG-TO-247-4-STD-NT6,7 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 50mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 268W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 43nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 55A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado PG-TO-247-4-STD-NT6,7 | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 50mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 268W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 43nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Este MOSFET de SiC de Infineon brinda el mejor rendimiento de conmutación de su categoría, robustez frente a encendidos parásitos, y RDS(on) y Rth(j-c) mejorados. La alta densidad de potencia, la eficacia superior, la capacidad de carga bidireccional y la reducción significativa de los costes del sistema lo convierten en la opción ideal para aplicaciones de cargador interno y de DC a DC.
Pérdidas por conmutación muy bajas
La mejor energía de conmutación de su categoría
Las más bajas capacitancias de dispositivo
Pin de detección para optimizar el rendimiento de conmutación
Apto para requisitos de distancia de fuga de alta tensión
Cables más finos para reducir el riesgo de puentes de soldadura
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