MOSFET de potencia, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL220N4F8, VDSS 40 V, ID 203 A, PowerFLAT de 8 pines
- Código RS:
- 330-245
- Referência do fabricante:
- STL220N4F8
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 330-245
- Referência do fabricante:
- STL220N4F8
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 203A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | STL | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.7mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 42.5nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 127W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 6mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 4.9 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 203A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie STL | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.7mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 42.5nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 127W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 6mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 4.9 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 40 V diseñado en tecnología Strip FET F8 que presenta una estructura de puerta de zanja mejorada. Garantiza una figura de mérito de vanguardia para una resistencia de estado activado muy baja, al tiempo que reduce las capacitancias internas y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.
Grado MSL1
175°C temperatura máxima de funcionamiento de la unión
100 % a prueba de avalancha
Carga de puerta baja Qg
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