MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STL270N6LF7, VDSS 60 V, ID 268 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- Código RS:
- 719-656
- Referência do fabricante:
- STL270N6LF7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
9 180,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 02 de julho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 27000 | 3,06 € | 9 180,00 € |
| 30000 - 297000 | 1,992 € | 5 976,00 € |
| 300000 - 1497000 | 1,452 € | 4 356,00 € |
| 1500000 - 2997000 | 1,224 € | 3 672,00 € |
| 3000000 + | 1,141 € | 3 423,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 719-656
- Referência do fabricante:
- STL270N6LF7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 268A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | STL | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 145nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 187W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 5mm | |
| Longitud | 6.1mm | |
| Altura | 1mm | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 268A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie STL | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 145nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 187W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 5mm | ||
Longitud 6.1mm | ||
Altura 1mm | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics utiliza la tecnología STripFET F7 con una estructura de puerta de trinchera mejorada que resulta en una resistencia de estado encendido muy baja, al tiempo que reduce la capacidad interna y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.
Uno de los RDS(on) más bajos del mercado
Excelente FoM (cifra de mérito)
Baja relación Crss/Ciss para inmunidad a EMI
Alta robustez ante avalanchas
Nivel lógico VGS(th)
Links relacionados
- MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STL270N6LF7, VDSS 60 V, ID 268 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STL140N4LF8, VDSS 40 V, ID 144 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STL130N6LF7, VDSS 60 V, ID 96 A, Modo de mejora, PowerFLAT de 8
- Transistor, Canal P-Canal STMicroelectronics SGT240R70ILB, VDSS 700 V, ID 10 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- Transistor, Canal P-Canal STMicroelectronics SGT140R70ILB, VDSS 700 V, ID 17 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- Transistor, Canal P-Canal STMicroelectronics SGT080R70ILB, VDSS 700 V, ID 29 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- Transistor, Canal P-Canal STMicroelectronics SGT105R70ILB, VDSS 700 V, ID 21.7 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- Transistor, Canal P-Canal STMicroelectronics SGT190R70ILB, VDSS 700 V, ID 11.5 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines