MOSFET de potencia STripFET F8, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL165N4F8AG, VDSS 40 V, ID 154 A, PowerFLAT de 8 pines
- Código RS:
- 330-570
- Referência do fabricante:
- STL165N4F8AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 330-570
- Referência do fabricante:
- STL165N4F8AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia STripFET F8 | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 154A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Serie | STL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.6mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 28nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 111W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1mm | |
| Anchura | 5.2 mm | |
| Longitud | 6.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia STripFET F8 | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 154A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Serie STL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.6mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 28nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 111W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1mm | ||
Anchura 5.2 mm | ||
Longitud 6.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Estado RoHS: Não aplicável
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de STMicroelectronics, diseñado en tecnología STripFET F8, presenta una estructura de puerta de zanja mejorada. Ofrece una figura de mérito de última generación con una resistencia de estado activado muy baja, capacitancias internas y carga de puerta reducidas, lo que permite una conmutación más rápida y eficiente.
100 % a prueba de avalancha
Carga de puerta baja Qg
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