MOSFET de potencia, N-Canal STMicroelectronics STL305N4F8AG, VDSS 40 V, ID 290 A, PowerFLAT de 8 pines
- Código RS:
- 330-574
- Referência do fabricante:
- STL305N4F8AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 330-574
- Referência do fabricante:
- STL305N4F8AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 290A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Serie | STL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.1mΩ | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 167W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 65nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 290A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Serie STL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.1mΩ | ||
Disipación de potencia máxima Pd 167W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 65nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Estado RoHS: Não aplicável
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de STMicroelectronics, diseñado en tecnología STripFET F8, presenta una estructura de puerta de zanja mejorada. Ofrece una figura de mérito de última generación con una resistencia de estado activado muy baja, capacitancias internas y carga de puerta reducidas, lo que permite una conmutación más rápida y eficiente.
100 % a prueba de avalancha
Carga de puerta baja Qg
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